全球半导体解决方案供应商Renesas Electronics（TSE：6723）今天宣布三个新的高压650V GAN服务器和服务器服务器，用于高苏尔申请人（建筑），电动汽车电池电池电池电池电池电池设备以及不间断的能源，电池能源存储和太阳能投资者。该改进的第四代产品（Gen IV Plus）专为多柯瓦特类应用程序而设计，将有效的GAN技术与兼容硅的驱动器输入相结合，可显着降低开关功率损耗，同时轻松保持基于硅的FET的运行。新产品提供了三个包装选项：TOLT，TO-247和TOLL，为工程师提供了为Energy Architecturesto特定定制热管理和电路板设计的灵活性。这三个新产品基于强大而可靠的Supergan®平台。该平台使用耗尽模式，该模式首次由transphorm创建，通过实际应用测试并获得由Renesas于2024年6月编辑。基于低损耗技术的产品的效率比基于硅的碳化硅（SIC）和其他GAN产品的效率更高。此外，4 V阈值电压增加，通过最低门负载，输出电容，交叉损耗和动态电阻的影响最大程度地减少功率损耗。新的Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的车辆小14％，因此，基于此，我们获得了3000万hm（MΩ）（RDS（RDS）（ON），降低上一代14％的较低阻力，并且绩效指标（FOM）的绩效（FOM）（FOM）的高度效率尤其是非常高效的，并且是完全效率的，并且是完全的效率，该效率是完全的，并且是完全的效率，该效率是完全的，并且是完全的效率，该效率是完全的。成本敏感和高温应用，以促进现有的工程投资。E，包括最低的热耗散通道（TOLT）。 Renesas' Ivision Said: "Gen IV plus gan the Success of the Release of Products Marks The First Milestone Step in the Gan Technology Space Since Renesas Completed The Acquisition of Transhorm Last YEAR The Market.GAN DUCTS OF RENESAS Use a unique MOSFET configuration based on low voltage silicon, allowing the perfect regular turns to present a downward operation, which gives the advantages of high voltage gans game with low loss and high efficiency.兼容性不仅简化了设计过程，而且还会降低阈值，以便系统开发人员采用变化的频率和最小的尺寸。